英诺赛科Innoscience公司 GaN氮化镓

名称：	英诺赛科Innoscience公司 GaN氮化镓
所属类别：	英诺赛科 (Innoscience)
摘要：	英诺赛科Innoscience, 第三代半导体, 8英寸硅基氮化镓晶圆, 低压高压（30V-650V）氮化镓功率器件

公司简介

8 英寸硅基氮化镓

IDM

专利数量 500+

创立：2015 年 12 月

员工：1000+ （R&D 250+）

基地：珠海，苏州，

深圳

产品： 30V-650V

GaN FET

珠海

产能 : 4K 晶圆 / 月

苏州

产能 : 65K 晶圆 / 月

(2021)

英诺赛科氮化镓平台

市场体系

销售

市场

氮化镓芯片产品

FAE

低压

(≤200伏 )

高压

(650 伏 )

氮化镓

射频

8 英寸硅基氮化镓 IDM 制造

器件设计

外延生长

制程工艺

可靠性测试

失效分析

经验丰富的研发与产业化团队

EPC

TSMC

MPS

UMC

SMIC

SAMSUNG

8 英寸的优势

6 英寸

晶圆面积增加 84%

8 英寸

优势

◆ 增加有效面积，总体成本更低 ◆ 更优质的上下游产业链配套

◆ 更先进的工艺技术 ◆ 更高的生产效率

IDM 模式

IDM

模式

商业模式优点

IDM 模式

◆ 集芯片设计，外延生长，芯片制造，

可靠性与失效分析等于一体的全产业

链生产模式

◆ 8 英寸硅基氮化镓，产品成本

与价格具有绝对竞争优势

◆ 完善的可靠性与失效分析平台，实现更

快的产品迭代升级

充足的产能

珠海 (4K/ 月 )

苏州 (65K/月 )-2021

FAB

About

this area

130m

H2 Dormitory

Office

橙框内部分

已完工 .

116m

一期

163m

二期

480m

110m

590m

设备于20年9月搬入,通线调试中 ,预计21年6月量产

珠海 8 英寸 CMOS 兼容的产线

黄光区

介质薄膜及退火区

扩散和离子注入区

蚀刻区

测量区

8 英寸 MOCVD GaN 外延

可靠性和失效分析实验室

半自动晶圆级测试系统

全自动晶圆级测试系统

DC HTGB/HTRB

带监控 HTGB/HTRB

HAST

THB

系统级验证

Reflow oven

英诺赛科的优势总结

GaN 将可能取代 Si MOSFET: 市场前景巨大 !

◆ 新的应用机会 (5G, IOT, AI, 大数据 , 智慧城市等 )

◆ 新的要求 : 更高的频率，更小的尺寸

硅基

氮化镓

IDM

Know-

How

经验丰富的产业化团队

◆ 外延

◆ 可靠性

自有

晶圆厂

◆ 器件设计

◆ 外延生长

◆ 制造

◆ 可靠性测试

◆ 失效分析

◆ 系统测试

成本优势

◆ 自有技术专利

◆ IMEC 授权

8 英寸

制造

◆ 相比 6 英寸面积增大 84%

◆ 技术迭代，单颗芯片 die size 减小

◆ 世界上最大的 GaN-on-Si 产能计划: ① 珠海 4K/月 ② 吴江 65K/ 月(建设中)

氮化镓为战略新兴产业带来新的解决方案

GaN 核心

性能优势

高频

开关速度快

低阻抗／面积

高频

与硅器件

性能对比

GaN

5 倍以上优势

GaN

10 倍以上优势

GaN

2 倍以上优势

GaN

2-4 倍以上优势

典型

应用

快充

激光雷达

数据中心

应用

优势

可大幅度减小终端

应用产品体积并大幅

提高功率转化效率

开关速度

可提高 10 倍

功率密度提升 2 倍

节能 50%

较 LDMOS

工作频率提高 2 倍以上

产品

◆ 产品电压等级覆盖 40-650V，广泛应用于快充，激光雷达，DC-DC等领域，目前累计出货量已超六百万颗

WLCSP 2x2

WLCSP 2x3

WLCSP 3x5

DFN

V_ds(V)	P/N	Configuration	R_ds(on)(mΩ)_typ.	I_d(A)_cont.	Package
100	INN100W08	Single	36	4	WLCSP 2x2
	INN100W12	Single	6	16	WLCSP 5x3
	INN100L12	Single	6	16	FCLGA
	INN100W14	Single	19	7	WLCSP 3x5
650	INN650D01	Single	130	16.5	DFN 8x8
	INN650DA01	Single	130	16.5	DFN 5x6
	INN650D02	Single	200	11	DFN 8x8
	INN650D02A	Single	200	11	DFN 8x8
	INN650DA02A	Single	200	11	DFN 5x6
	INN650DA04	Single	400	5.5	DFN 5x6

650V 氮化镓 Roadmap

Road Map

Ron (mOhm)

400

300

200

130

量产

开发中

30W

65W

300W

1kW

3kW

6.6kW

100V 氮化镓 Roadmap

Ron (mOhm)

量产

开发中

Road Map

激光雷达

300W

750W

1kW

广泛的应用领域

消费

工业

汽车

快充

无人机

D 类功放

数据中心

光伏

航天

自动驾驶

OBC

方案和 Demo

65W 超薄 PD Demo

65W 超小 PD Demo

100W 2C2A Demo

65W A+2C Demo

尺寸：

26mm*27mm*44mm

功率密度： 34W/in³

尺寸：

50mm*56mm*13mm

功率密度： 29W/in³

尺寸： 46mm*46mm*23mm

功率密度： 21.8W/in³

尺寸：

56mm*71mm*22.5mm

功率密度： 18W/in³

Demo 板目录：

Demo编号	输出功率/(接口)	拓扑
DMB001	60W/(单C)	QR flyback
DMB002	65W/(单C 超薄)	QR flyback
DMB003	65W/(A+C)	QR flyback + buck
DMB004	100W/(单C)	QR flyback
DMB005	100W/(2A+2C)	Boost PFC + QR flyback + buck
DMB006	65W/(单C 超小)	QR flyback
DMB007	200W/(2A+3C)	Boost PFC + LLC + buck
DMB008	20W/(单C)	QR flyback
DMB009	30W/(单C)	QR flyback
DMB012	120W/(单C)	Boost PFC + ACF
DMB013	200W/(LED Driver)	Boost PFC + LLC
DMB014	150W/(LED Driver)	Boost PFC + LLC
DMB015	65W/(A+2C)	QR flyback + buck

(工作日：9:00-17:30)

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